记忆装置及其形成方法;MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

摘要

本揭露内容系关于一种记忆装置的一些型态，记忆装置包括一集极区，其具有第一导电型且耦接至记忆装置之源极线；一基极区，其形成于集极区上且具有第二导电型；一闸极结构，其耦接至基极区且作为记忆装置相邻之第一及第二记忆单元的共用字元线；第一及第二射极区，其形成于基极区上且具有第一导电型，第一及第二射极区排置于闸极结构的相对侧上；以及第一及第二接触窗，分别由第一及第二射极区向上延伸，且分别将第一及第二射极区域耦接至相邻之第一及第二记忆单元的第一及第二资料储存元件。