高电压开漏极静电放电（ESD）保护装置

摘要

本发明是揭露一种高电压开漏极静电放电（ESD）保护装置，包含一第一高电压N通道金氧半场效晶体管（HV MOSFET），其是连接一高电压焊垫与一低电压端，并接收高电压焊垫的高电压以正常运作。高电压焊垫与第一高电压N通道金氧半场效晶体管更连接一高电压静电放电（ESD）保护单元，其在正常操作下并不影响正常电路功能，但是，在高电压焊垫发生静电放电事件时，可以在接收高电压焊垫的静电放电电压后，有效率地释放此静电放电事件的静电放电电流。高电压静电放电保护单元与低电压端连接一电压箝位单元，其是经由高电压静电放电保护单元接收静电放电电压，以释放宣泄静电放电电流。

主权项

一种高电压开漏极静电放电保护装置，其特征在于，包含：一第一高电压N通道金氧半场效晶体管，其连接一高电压焊垫与一低电压端，并接收该高电压焊垫的高电压以正常运作；一高电压静电放电保护单元，其连接该高电压焊垫与该第一高电压N通道金氧半场效晶体管，并阻挡该高电压，且接收该高电压焊垫的正静电放电电压或负静电放电电压，以在该高电压焊垫发生静电放电事件时，分别释放一第一静电放电电流或一第二静电放电电流；以及一第一电压箝位单元，连接该高电压静电放电保护单元与该低电压端，并经由该高电压静电放电保护单元接收该正静电放电电压，以释放该第一静电放电电流。