发明名称 |
一种氧化物替代式图形衬底的制备方法 |
摘要 |
本发明提出了一种氧化物替代式图形衬底的制备方法,包括以下步骤:1)在蓝宝石衬底表面生长一层SiO<sub>2</sub>薄膜;2)在长有SiO<sub>2</sub>薄膜的蓝宝石衬底表面旋涂一层光刻胶;3)通过步进式光刻机对步骤2)中的蓝宝石衬底进行曝光、显影后得到表面有圆柱型光刻胶掩膜的蓝宝石衬底;4)对步骤3)中的蓝宝石衬底进行湿法腐蚀;5)去除光刻胶,采用低浓度的BOE溶液对图形化的SiO<sub>2</sub>薄膜进行过腐蚀,利用湿法腐蚀制备出氧化物替代式图形衬底。本发明一种氧化物替代式图形衬底的制备方法,利用外延层在非蓝宝石表面难以单晶生长,通过控制图形衬底的蓝宝石面积,就可以增加外延横向生长,从而减少缺陷,改善外延层的晶体质量。 |
申请公布号 |
CN103887166A |
申请公布日期 |
2014.06.25 |
申请号 |
CN201410101341.8 |
申请日期 |
2014.03.18 |
申请人 |
西安神光安瑞光电科技有限公司 |
发明人 |
韩沈丹;缪炳有;张汝京;黄宏嘉 |
分类号 |
H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01)I |
代理机构 |
西安智邦专利商标代理有限公司 61211 |
代理人 |
倪金荣 |
主权项 |
一种氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:1)在蓝宝石衬底表面生长一层SiO<sub>2</sub>薄膜;2)在长有SiO<sub>2</sub>薄膜的蓝宝石衬底表面旋涂一层光刻胶;3)通过步进式光刻机对步骤2)中的蓝宝石衬底进行曝光、显影后得到表面有圆柱型光刻胶掩膜的蓝宝石衬底;4)对步骤3)中的蓝宝石衬底进行湿法腐蚀,SiO<sub>2</sub>薄膜在圆柱型光刻胶掩膜的保护下被BOE溶液腐蚀出特定的图形阵列,直至露出蓝宝石表面;5)去除光刻胶,采用稀释的BOE溶液对图形化的SiO<sub>2</sub>薄膜进行过腐蚀,利用湿法腐蚀制备出氧化物替代式图形衬底。 |
地址 |
710100 陕西省西安市航天基地东长安888号 |