发明名称 一种氧化物替代式图形衬底的制备方法
摘要 本发明提出了一种氧化物替代式图形衬底的制备方法,包括以下步骤:1)在蓝宝石衬底表面生长一层SiO<sub>2</sub>薄膜;2)在长有SiO<sub>2</sub>薄膜的蓝宝石衬底表面旋涂一层光刻胶;3)通过步进式光刻机对步骤2)中的蓝宝石衬底进行曝光、显影后得到表面有圆柱型光刻胶掩膜的蓝宝石衬底;4)对步骤3)中的蓝宝石衬底进行湿法腐蚀;5)去除光刻胶,采用低浓度的BOE溶液对图形化的SiO<sub>2</sub>薄膜进行过腐蚀,利用湿法腐蚀制备出氧化物替代式图形衬底。本发明一种氧化物替代式图形衬底的制备方法,利用外延层在非蓝宝石表面难以单晶生长,通过控制图形衬底的蓝宝石面积,就可以增加外延横向生长,从而减少缺陷,改善外延层的晶体质量。
申请公布号 CN103887166A 申请公布日期 2014.06.25
申请号 CN201410101341.8 申请日期 2014.03.18
申请人 西安神光安瑞光电科技有限公司 发明人 韩沈丹;缪炳有;张汝京;黄宏嘉
分类号 H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I 主分类号 H01L21/311(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人 倪金荣
主权项 一种氧化物替代式图形衬底的制备方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:1)在蓝宝石衬底表面生长一层SiO<sub>2</sub>薄膜;2)在长有SiO<sub>2</sub>薄膜的蓝宝石衬底表面旋涂一层光刻胶;3)通过步进式光刻机对步骤2)中的蓝宝石衬底进行曝光、显影后得到表面有圆柱型光刻胶掩膜的蓝宝石衬底;4)对步骤3)中的蓝宝石衬底进行湿法腐蚀,SiO<sub>2</sub>薄膜在圆柱型光刻胶掩膜的保护下被BOE溶液腐蚀出特定的图形阵列,直至露出蓝宝石表面;5)去除光刻胶,采用稀释的BOE溶液对图形化的SiO<sub>2</sub>薄膜进行过腐蚀,利用湿法腐蚀制备出氧化物替代式图形衬底。
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