| 发明名称 | 铜膜厚测量标准片 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种铜膜厚测量标准片，其包括衬底、介质层、预知厚度的铜膜以及保护层，所述介质层形成于所述衬底上，所述铜膜形成于所述介质层上，所述保护层形成于所述铜膜上。该铜膜厚测量标准片，解决了集成电路制造领域没有铜膜厚测量标准片的问题，有了这种标准片，铜膜厚测量机台的校准就有了准确性。 | ||
| 申请公布号 | CN203642899U | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201320672758.0 | 申请日期 | 2013.10.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 刘媛娜;尹正朝;侯大维 |
| 分类号 | G01B21/08(2006.01)I | 主分类号 | G01B21/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种铜膜厚测量标准片，其特征在于，所述标准片包括衬底、介质层、预定厚度的铜膜以及保护层，所述介质层形成于所述衬底上，所述铜膜形成于所述介质层上，所述保护层形成于所述铜膜上。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||