| 发明名称 |
Cascoded semiconductor devices |
| 摘要 |
A cascoded power semiconductor circuit has a clamp circuit between the source and gate of a gallium nitride or silicon carbide FET to provide avalanche protection for the cascode MOSFET transistor. |
| 申请公布号 |
EP2736171(A1) |
申请公布日期 |
2014.05.28 |
| 申请号 |
EP20120194083 |
申请日期 |
2012.11.23 |
| 申请人 |
NXP B.V. |
发明人 |
ROSE, MATTHIAS;SONSKY, JAN;RUTTER, PHIL |
| 分类号 |
H03K17/567;H01L29/778;H03K17/687 |
主分类号 |
H03K17/567 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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