Transistor auf Gruppe III-Nitrid-Basis mit einem Gate-Dielektrikum mit einem Stoff auf Fluorid- oder Chlorid-Basis

摘要

Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschreiben Einrichtungen, Verfahren und Systeme einer integrierten Schaltungsvorrichtung (IC-Vorrichtung). Die IC-Vorrichtung kann eine auf einem Substrat angeordnete Pufferschicht, wobei die Pufferschicht Gallium (Ga) und Stickstoff (N) aufweist, und eine auf der Pufferschicht angeordnete Sperrschicht aufweisen, wobei die Sperrschicht Aluminium (Al) und Stickstoff (N) aufweist. Die IC-Vorrichtung kann ferner einen Gate-Anschluss und eine Gate-Dielektrikumschicht aufweisen, die zwischen dem Gate-Anschluss und der Sperrschicht und/oder zwischen dem Gate-Anschluss und der Pufferschicht angeordnet ist. In verschiedenen Ausführungsformen kann die Gate-Dielektrikumschicht einen Stoff auf Fluorid- oder Chlorid-Basis wie etwa Calciumfluorid (CaF2) aufweisen.