| 发明名称 | 硅衬底上生长纳米线的衬底处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在Si衬底上生长纳米线的衬底处理方法，包括如下步骤：S1、将Si衬底进行退火；S2、将通过步骤S1退火后的衬底进行自然氧化；S3、将通过步骤S2自然氧化后的衬底进行腐蚀。本发明能改善在Si衬底上生长纳米线的形貌质量，包括提高纳米线的密度和均匀度，大幅减少寄生物的出现。 | ||
| 申请公布号 | CN103794474A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201410043865.6 | 申请日期 | 2014.01.29 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 杨涛;王小耶 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种在Si衬底上生长纳米线的衬底处理方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将Si衬底进行退火；S2、将通过步骤S1退火后的衬底进行自然氧化；S3、将通过步骤S2自然氧化后的衬底进行腐蚀。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||