Halbleitervorrichtung mit P-N-Säulenschicht und Verfahren zu deren Fertigung

摘要

Halbleitervorrichtung mit:–einem Substrat (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps, das eine erste Seite aufweist;–einer p-n-Säulenschicht (30), die auf der ersten Seite des Substrats (1) angeordnet und aus einer Epitaxialschicht aus Silicium aufgebaut ist; und–einer Epitaxialschicht (3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die auf der p-n-Säulenschicht (30) angeordnet und aus Silicium aufgebaut ist, wobei–die p-n-Säulenschicht (30) eine Mehrzahl von Säulen (7n, 7ns) des ersten Leitfähigkeitstyps und eine Mehrzahl von Säulen (7p, 7ps) des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, die abwechselnd angeordnet sind und aneinandergrenzen;–jede der Mehrzahl von Säulen (7n, 7ns, 7p, 7ps) des ersten und des zweiten Leitfähigkeitstyps eine sich verjüngende rechteckige Kastenform und die gleiche Dicke entlang einer senkrecht zur ersten Seite des Substrats (1) verlaufenden Richtung aufweist;–jede Säule (7n, 7ns) des ersten Leitfähigkeitstyps einen ersten Querschnitt entlang einer parallel zur ersten Seite des Substrats (1) verlaufenden ersten Ebene aufweist, wobei der erste Querschnitt eine rechteckige Form aufweist;–jede Säule (7p, 7ps) des zweiten Leitfähigkeitstyps einen zweiten Querschnitt entlang der ersten Ebene aufweist, wobei der zweite Querschnitt eine rechteckige Form aufweist;–jede Säule (7n, 7ns) des ersten Leitfähigkeitstyps einen dritten Querschnitt entlang einer zweiten Ebene aufweist, die senkrecht zu einer Kontaktoberfläche zwischen den Säulen (7n, 7ns, 7p, 7ps) des ersten und des zweiten Leitfähigkeitstyps und senkrecht zur ersten Seite des Substrats (1) verläuft;–der dritte Querschnitt jeder Säule (7n, 7ns) des ersten Leitfähigkeitstyps eine sich derart verjüngende Form aufweist, dass ein Abschnitt des dritten Querschnitts, der nahe dem Substrat (1) angeordnet ist, breiter als ein anderer Abschnitt des dritten Querschnitts ist, der nahe der Epitaxialschicht (3) des zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist;–die Säule (7p, 7ps) des zweiten Leitfähigkeitstyps einen vierten Querschnitt entlang der zweiten Ebene aufweist ...