| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines bipolaren Punch-Through-Halbleiterbauelements bereitgestellt, wobei die folgenden Schritte durchgeführt werden: (a) Bereitstellen eines hoch dotierten Wafers (10) mit einer ersten und einer zweiten Seite (11, 12), der mindestens auf der ersten Seite (11) mit ersten Partikeln des ersten Leitfähigkeitstyps dotiert ist, (b) Bereitstellen eines zweiten niedrig dotierten Wafers (20) des ersten Leitfähigkeitstyps mit einer dritten und vierten Seite, (c) Herstellen eines Wafer-Laminats mit einer Wafer-Laminatdicke, indem der erste Wafer (10) mit seiner ersten Seite (11) und der zweite Wafer (20) mit seiner vierten Seite (22) miteinander gebondet werden, (d) anschließend Durchführen eines Diffusionsschrittes, durch den eine diffundierte Zwischenraumschicht (31) entsteht, die den auf der ersten Seite befindlichen Teil des ersten Wafers (10) und den auf der vierten Seite befindlichen Teil des zweiten Wafers (20) umfasst, wobei derjenige Teil des zweiten Wafers, der eine unveränderte Dotierungskonzentration hat, in dem fertiggestellten Bauelement eine Driftschicht (2) bildet, (e) anschließend Bilden von mindestens einer Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps auf der dritten Seite (21), (f) anschließend Reduzieren der Wafer-Laminatdicke von der zweiten Seite (12) innerhalb der Zwischenraumschicht (31) und innerhalb des zweiten Wafers (20) auf derartige Weise, dass eine Pufferschicht (3) geschaffen wird, die den verbleibenden Teil des Wafer-Laminats auf der vierten Seite (22) mit höherer Dotierungskonzentration als die Driftschicht (2) umfasst. |
