发明名称 用于组装WLCSP晶片的方法及半导体器件
摘要 本发明提出一种半导体器件,该半导体器件具有有源器件、正面表面和背面表面,具有总厚度的半导体器件包括具有电路的有源器件,有源器件的电路限定在正面表面上,正面表面具有第一面积。在有源器件的背面具有凹部,该凹部的部分深度是有源器件的厚度,该凹部的宽度是部分深度,该凹部在垂直边缘围绕有源器件。在有源器件的背面表面上具有某一厚度的保护层,保护材料的面积大于第一面积,并且保护材料具有间隔距离。垂直边缘具有保护层,垂直边缘的保护层填充凹部与垂直边缘齐平。保护材料的间隔距离是半导体器件的厚度与撞击半导体器件的垂直面的工具的角度(θ)的正切值的函数。
申请公布号 CN103779237A 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN201310495065.3 申请日期 2013.10.21
申请人 NXP股份有限公司 发明人 克里斯蒂安·延斯;哈特莫特·布宁;莱奥那德思·安托尼思·伊丽沙白·范吉莫特;托尼·坎姆普里思;萨沙·默勒
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 倪斌
主权项 一种用于组装WLCSP晶片的方法,其特征在于,晶片具有正面表面和背面表面,在正面表面上具有电触点的多个器件裸芯片,该方法包括:将晶片安装到研磨箔上;背面研磨晶片的背面表面至某一厚度;将晶片的第一选择侧表面安装到锯切箔上;在与多个器件裸芯片的锯线相对应的区域中锯切第二侧表面,第二侧表面与第一选择侧表面相对,锯切至晶片的经背面研磨的厚度的深度;拉伸锯切箔,以使器件裸芯片分开;将晶片的正面表面再安装到成型箔上,并去除锯切箔;在被分开的器件裸芯片的背面表面和垂直面上,将器件裸芯片封装在成型材料中,在背面表面上具有某一厚度的成型材料,在垂直面上具有另一厚度的成型材料,去除成型箔;再将WLCSP晶片的背面表面安装到锯切箔上;以及在多个器件裸芯片的锯线中,锯切成型的WLCSP晶片的正面表面,以使成型的晶片分离成单个的器件裸芯片,在每个单个的器件裸芯片上都具有保护性成型材料。
地址 荷兰艾恩德霍芬