基于电子散斑干涉技术的集成电路封装热阻测量方法

摘要

本发明公开一种基于电子散斑干涉技术的集成电路封装热阻测量方法，其以电子散斑干涉技术为测量手段建立一套集成电路封装热阻的测量系统，对集成电路试件进行功率加载，实时提取测量位移的响应曲线，并通过温度与离面位移的关系建立离面位移的响应方程，对离面位移的瞬态响应方程微分后进行数值反卷积运算，得出了集成电路封装的热阻和热容的关系曲线。本方法能够快速有效的提取集成电路封装的热阻，且对被测试件没有任何损害性。

主权项

1.基于电子散斑干涉技术的集成电路封装热阻测量方法，其特征是包含以下步骤：（1）建立一套基于散斑干涉的热阻测试平台，将被测试件放置在静风环境的热阻测试平台中，且对被测试件进行功率加载，功率加载时保证达到被测试件的额定功率；（2）用温度测量装置实时测量被测试件表面的温度；（3）热阻测试平台的电耦合元件实时采集功率加载下被测试件发生离面位移的干涉条纹图，并根据公式①计算离面位移：$\mathrm{\Delta d}=\frac{\mathrm{N\lambda }}{2}$    ①式中，△d为离面位移，N为干涉条纹级数，λ为激光波长；（4）根据步骤（2）的温度测量结果和步骤（3）的离面位移计算结果，拟合待测试件的离面位移和温度的关系，并根此提取该关系的关系因子，其中：△d(t)=KT(t)+L    ②式中，△d(t)为被测试件在功率加载下不同时刻的离面位移，T(t)为被测试件在功率加载下不同时刻的温度，K为关系因子，L为常数；（5）建立被测试件离面位移的瞬态响应方程，即：△d(t)=KPR_th[1-exp(-t/τ)]+L    ③式中，△d(t)为被测试件在功率加载下不同时刻的离面位移，K为关系因子，P为被测试件加载的功率，τ=R_thC_th，τ为时间常数，R_th为被测试件的热阻，C_th为被测试件的热容；（6）对离面位移的瞬态响应方程进行求导，取微分使其离散化；（7）对微分后的离面位移的瞬态响应方程进行数值反卷积运算，得到待测试件的热阻和热容的关系曲线。