Epitaktischer Siliciumwafer und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Siliciumwafers, umfassend: einen ersten Schritt des Herstellens eines Siliciumkristallsubstrats, in das Phosphor als n-Typ-Dotierungsmittel zum Einstellen des spezifischen elektrischen Widerstands dotiert wurde und Germanium dotiert wurde; einen zweiten Schritt des Erzeugens einer Vertiefung in einer Oberflächenschicht mit einer Tiefe von bis zu 5 nm des Siliciumkristallsubstrats durch Ausführen einer thermischen Behandlung an dem Siliciumkristallsubstrat; einen dritten Schritt des Verringerns der Vertiefungen, die in der Oberflächenschicht des Siliciumkristallsubstrats erzeugt wurden, durch Ausführen einer Polierbehandlung an der Oberfläche des Siliciumkristallsubstrats bis zu einem vorbestimmten Ausmaß und einen vierten Schritt des Bildens einer epitaktischen Siliciumschicht an der Oberfläche des Siliciumkristallsubstrats nach der Polierbehandlung.