发明名称 测试闪存单元电流分布的系统及方法
摘要 一种测试闪存单元电流分布的系统及方法。所述测试闪存单元电流分布的系统包括:电流电压转换单元,适于将所述闪存单元的读出电流转换为测试电压;比较统计单元,适于根据所述测试电压与参考电压的比较结果获得闪存单元电流分布。所述测试闪存单元电流分布的方法包括:将所述闪存单元的读出电流转换为测试电压;根据所述测试电压与参考电压的比较结果获得闪存单元电流分布。本发明提供的测试闪存单元电流分布的系统及方法,提高了测试闪存单元电流分布的速度,降低了测试闪存单元电流分布的成本。
申请公布号 CN103714863A 申请公布日期 2014.04.09
申请号 CN201410005717.5 申请日期 2014.01.07
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 索鑫
分类号 G11C29/56(2006.01)I 主分类号 G11C29/56(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 吴靖靓;骆苏华
主权项 一种测试闪存单元电流分布的系统,其特征在于,包括:电流电压转换单元,适于将所述闪存单元的读出电流转换为测试电压;比较统计单元,适于根据所述测试电压与参考电压的比较结果获得闪存单元电流分布。
地址 201203 上海市浦东新区上海张江高科技园区祖冲之路1399号