一种Bi_1-xDy_xFeO₃ 低漏电流薄膜及其制备方法

摘要

一种Bi1-xDyxFeO3低漏电流薄膜及其制备方法，x=0.09～0.12，该薄膜为菱方结构，均匀性好，空间点群为R-3m(166)，在117kV/cm的电场下，其漏电流密度为1.01×10-8～6.39×10-9A/cm2。制备方法：按摩尔比为(1.05-x):1:x将硝酸铋、硝酸铁和硝酸镝溶于乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中，得前驱液；在基片上旋涂前驱液，匀胶后烘烤得干膜，再退火，得Bi1-xDyxFeO3薄膜，重复旋涂前驱液、烘烤、退火至达到所需的薄膜厚度，得Bi1-xDyxFeO3低漏电流薄膜。本发明设备要求简单，掺杂量易控，能够大幅度减小BiFeO3薄膜的漏电流密度。

主权项

一种Bi1‑xDyxFeO3低漏电流薄膜，其特征在于：其化学式为Bi1‑xDyxFeO3，x=0.09～0.12；在117kV/cm的电场下，其漏电流密度为1.01×10‑8～6.39×10‑9A/cm2。