发明名称 |
超低功耗振荡器 |
摘要 |
本发明提供一种超低功耗振荡器,其包括电容、第一、第二、第三和第四场效应晶体管、反相器。电容的一端与第一电源端相连,另一端作为信号振荡端与第二场效应晶体管的衬体相连。第二晶体管的栅极、漏极和源极与第二电源端相连,第一晶体管的源极和衬体与第一电源端相连,漏极与信号振荡端相连,第四晶体管的源极和衬体与第一电源端相连,栅极与信号振荡端相连,漏极与反相器的输入端和第三场效应晶体管的衬体相连,第三晶体管的栅极、漏极和源极与第二电源端相连,反相器的输出端与第一晶体管的栅极相连。这样,其静态功耗主要由第二和第三晶体管的漏电流产生,每个漏电支路电流可以设计的很小,可以容易的设计出总功耗很低的振荡器。 |
申请公布号 |
CN103647508A |
申请公布日期 |
2014.03.19 |
申请号 |
CN201310626522.8 |
申请日期 |
2013.11.28 |
申请人 |
无锡中星微电子有限公司 |
发明人 |
王钊 |
分类号 |
H03B5/32(2006.01)I |
主分类号 |
H03B5/32(2006.01)I |
代理机构 |
无锡互维知识产权代理有限公司 32236 |
代理人 |
戴薇 |
主权项 |
一种振荡器,其特征在于,其包括电容、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、反相器;所述电容的一端与第一电源端相连,另一端作为信号振荡端与第二场效应晶体管的衬体相连,第二场效应晶体管的栅极、漏极和源极与第二电源端相连,第一场效应晶体管的源极和衬体与第一电源端相连,漏极与信号振荡端相连,第四场效应晶体管的源极和衬体与第一电源端相连,栅极与信号振荡端相连,漏极与反相器的输入端和第三场效应晶体管的衬体相连,第三场效应晶体管的栅极、漏极和源极与第二电源端相连,反相器的输出端与第一场效应晶体管的栅极相连。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层 |