发明名称 | 一种D/A型二苯乙烯分子共插层水滑石复合光电材料及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了属于无机有机复合光电材料技术领域的一种D/A型二苯乙烯化合物共插层水滑石复合光电材料及其制备方法。本发明采用单滴共沉淀法将4,4'-二氨基二苯乙烯-2,2'-二磺酸根阴离子与4,4'-二硝基二苯乙烯-2,2'-二磺酸根阴离子以不同比例共插层到水滑石层间得到复合光电材料。利用水滑石层状材料的空间限域作用以及主客体之间的相互作用,实现了D/A型分子的固定化,同时提高了D/A分子间的光致电荷转移效率,为将水滑石插层复合材料应用于固体光电器件领域提供理论研究基础。 | ||
申请公布号 | CN103642490A | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
申请号 | CN201310751057.0 | 申请日期 | 2013.12.31 |
申请人 | 北京化工大学 | 发明人 | 陆军;郑舒方;李悟;段雪 |
分类号 | C09K11/06(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/06(2006.01)I |
代理机构 | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人 | 张水俤 |
主权项 | 一种D/A型二苯乙烯分子共插层水滑石复合光电材料,其特征在于,该材料的化学式为:[(M2+)1‑x(M3+)x(OH)2]x+(A2‑)x/2·mH2O,其中0.1≤x≤0.33,m=3‑6为层间结晶水分子数,M2+代表二价金属阳离子,M3+代表三价金属阳离子;A2‑代表4,4'‑二氨基二苯乙烯‑2,2'‑二磺酸根阴离子与4,4'‑二硝基二苯乙烯‑2,2'‑二磺酸根阴离子,两者的摩尔比为(1:9)‑(9:1);该材料的晶体结构为类水滑石材料的晶体结构,金属阳离子和氢氧根离子以共价键构成八面体,通过共边形成片状结构,4,4'‑二氨基二苯乙烯‑2,2'‑二磺酸根阴离子与4,4'‑二硝基二苯乙烯‑2,2'‑二磺酸根阴离子插入片层间构成均匀分散的4,4'‑二氨基二苯乙烯‑2,2'‑二磺酸根阴离子与4,4'‑二硝基二苯乙烯‑2,2'‑二磺酸根阴离子共插层超分子层状复合材料。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北三环东路15号北京化工大学 |