| 发明名称 | TFT-LCD阵列基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，其中阵列基板包括栅线、数据线和公共电极线，所述栅线和数据线限定的子像素区域内形成有像素电极和第一薄膜晶体管，还包括第一测试线、第二测试线和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第二测试线连接；所述第二薄膜晶体管的源极与所述第一测试线连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述公共电极线连接；各条公共电极线分别与各个测试电极连接。本发明提供的阵列基板及其制造方法，既能够保证TFT-LCD基板的正常使用，又能够通过调节某些公共电极线来达到局部测试的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN102236179B | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201010171460.2 | 申请日期 | 2010.05.07 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 张弥 |
| 分类号 | G02F1/13(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/13(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静 |
| 主权项 | 一种TFT‑LCD阵列基板，其特征在于，包括栅线、数据线和公共电极线，所述栅线和数据线限定的子像素区域内形成有像素电极和第一薄膜晶体管，还包括第一测试线、第二测试线和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第二测试线连接，通过对所述第二测试线上施加电压使所述第二薄膜晶体管导通；所述第二薄膜晶体管的源极与所述第一测试线连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述公共电极线连接；各条公共电极线分别与各个测试电极连接。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 | ||