| 发明名称 | 晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 种晶体管及其形成方法，其中，所述晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅介质层；位于所述栅介质层表面的氮化硅层；位于所述氮化硅层表面的栅电极层，所述氮化硅层与栅介质层相接触表面为第一表面，所述氮化硅层与栅电极层相接触的表面为第二表面，所述第二表面的硅原子百分比浓度比第一表面高；位于所述栅电极层、氮化硅层和栅介质层两侧的半导体衬底表面的侧墙；位于所述栅电极层和侧墙两侧的半导体衬底内的源/漏区。所述晶体管的开启电压减小，功耗降低。 | ||
| 申请公布号 | CN103632968A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201210299452.5 | 申请日期 | 2012.08.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 常建光 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成氮化硅层，所述氮化硅层与栅介质层相接触表面为第一表面，所述氮化硅层与第一表面相对的表面为第二表面，所述第二表面的硅原子百分比浓度比第一表面高；在所述氮化硅层表面形成栅电极层；在所述栅电极层、氮化硅层和栅介质层两侧的半导体衬底表面形成侧墙；在所述栅电极层和侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||