超小型LED元件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种超小型LED元件及其制造方法，并且更加具体地涉及一种超小型LED元件，其包括：第一导电半导体层；活性层，其形成在第一导电半导体层上；以及微米或纳米尺寸的半导体发光二极管，其包括形成在活性层上的第二导电半导体层，其中，半导体发光二极管是在其外围表面上包括涂敷的绝缘膜的超小型LED元件，并且涉及一种用于制造超小型LED元件的方法，该方法包括以下步骤：1)在基板上按顺序形成第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层；2)蚀刻第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层，以便LED元件的直径为纳米或微米尺寸；以及3)在第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层的外围表面上形成绝缘膜，并且去除基板。根据本发明，通过组合自顶向下方法和自底向上方法可以有效地产生纳米或微米尺寸的超小型LED元件，并且通过防止产生的超小型LED元件的表面缺陷可以提高光发射效率。

主权项

一种超小型LED元件的制造方法，包括：1）在基板上按顺序形成第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层；2）蚀刻所述第一导电半导体层、所述活性层和所述第二导电半导体层，以便所述LED元件具有纳米或微米级别的直径；以及3）在所述第一导电半导体层、所述活性层和所述第二导电半导体层的外围上形成绝缘膜，并且去除所述基板。