发明名称 含银P型半导体
摘要 一种热电合成物,包括一种可由下列分子式所表示之材料:(AgaX1-a)1±x(SnbPb1-b)mM’1-yQ2+m其中:X为钠、钾或任何比例之钠与钾合成物;M’为三价元素,系选择自锑(Sb)、铋(Bi)、镧系元素(lanthanide element)以及其组合所构成之群组;Q为硫属化合物元素(chalcogenide),其系选择自硫(S)、碲(Te)、硒(Se)以及其组合所构成之群组;a与b为独立地>0并且≦1;x与y为独立地>0并且<1;以及2≦m≦30。;上述合成物所显示之灵敏度(figure of merit)指数(ZT)约略或略高于1.4,并且使用p型半导体于热电装置中。
申请公布号 TWI427786 申请公布日期 2014.02.21
申请号 TW094127986 申请日期 2005.08.17
申请人 密西根州立大学执行董事会 美国 发明人 摩库利G. 卡那基地思;许贵方
分类号 H01L29/772 主分类号 H01L29/772
代理机构 代理人 高进福 台北市中正区忠孝东路2段94号8楼;高涌诚 台北市中正区忠孝东路2段94号8楼
主权项
地址 美国