发明名称 |
基片集成波导铁氧体开关 |
摘要 |
本发明公开了一种容差好、宽带宽、隔离度较高的基片集成波导铁氧体开关。该开关包括介质基板,所述介质基板的上表面设置有第一金属覆铜层,下表面设置有第二金属覆铜层,所述介质基板上设置有两排互相平行的金属化通孔,所述第一金属覆铜层上开有至少一个第一铁氧体安装孔,在第一铁氧体安装孔内安装有铁氧体块,所述铁氧体块的上表面和侧面均镀有金属镀层。采用外层加载来取代传统的内镶嵌,更易加工,对铁氧体块的宽度要求不高,容差好,同时铁氧体块与外界相接触的表面积较大,散热能力强;在同样长度下本发明所述的基片集成波导铁氧体开关带宽远大于现有的开关带宽,且隔离度更高,适合在铁氧体开关技术领域推广应用。 |
申请公布号 |
CN103594761A |
申请公布日期 |
2014.02.19 |
申请号 |
CN201310595609.3 |
申请日期 |
2013.11.21 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
程钰间;黄秋栋 |
分类号 |
H01P1/11(2006.01)I |
主分类号 |
H01P1/11(2006.01)I |
代理机构 |
成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 |
代理人 |
李顺德;王睿 |
主权项 |
基片集成波导铁氧体开关,包括介质基板(1),所述介质基板(1)的上表面设置有第一金属覆铜层(2),介质基板(1)的下表面设置有第二金属覆铜层(3),所述介质基板(1)上设置有两排互相平行的金属化通孔(4)并且所述金属化通孔(4)贯穿第一金属覆铜层(2)、介质基板(1)、第二金属覆铜层(3)形成基片集成波导,其特征在于:所述第一金属覆铜层(2)上开有至少一个第一铁氧体安装孔(5),并且所述第一铁氧体安装孔(5)位于两排金属化通孔(4)之间,在第一铁氧体安装孔(5)内安装有铁氧体块(6),所述铁氧体块(6)的上表面和侧面均镀有金属镀层(7)。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |