| 发明名称 | 单晶硅位错腐蚀剂及检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单晶硅位错腐蚀剂，由氢氟酸、硝酸和缓释剂组成，所述缓释剂为硼酸溶液。该单晶硅位错腐蚀剂能腐蚀出低密度位错，且无刺激性气味，环境友好。本发明单晶硅位错检测方法为将待检测的单晶硅浸入单晶硅位错腐蚀剂中进行腐蚀，方法简单，检测效果好。 | ||
| 申请公布号 | CN103590113A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201310576502.4 | 申请日期 | 2013.11.18 |
| 申请人 | 银川隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;无锡隆基硅材料有限公司 | 发明人 | 王新强;邓浩;马自成 |
| 分类号 | C30B33/10(2006.01)I;C23F1/24(2006.01)I;G01N21/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人 | 罗笛 |
| 主权项 | 单晶硅位错腐蚀剂，其特征在于：由氢氟酸、硝酸和缓释剂组成，所述缓释剂为硼酸溶液。 | ||
| 地址 | 750021 宁夏回族自治区银川市（国家级）经济技术开发区开元东路15号 | ||