一种制备含锗和银的类金刚石薄膜的方法

摘要

一种制备含锗和银的类金刚石薄膜的方法属于薄膜沉积技术领域，采用已有的真空室及工艺配置，在室温下调节基底至End-Hall型离子源之间的距离；调节真空室的真空度达到1×10-3Pa量级；选择CH4作为气体，在气体流量控制计的控制下以60sccm的气体流量通入End-Hall型离子源；沉积开始前真空室的真空度通过真空室抽气孔调节，真空度保持在2×10-2Pa量级，控制End-Hall型离子源的阳极电流为2A、阳极电压为90V；沉积开始时使用两支电子枪发射电子束在同一时刻蒸发锗和银；在基底上得到含锗和银类金刚石薄膜。在保证类金刚石薄膜优点的同时，银和锗元素的掺杂提高了薄膜在植入人体时的适应性。

主权项

一种制备含锗和银的类金刚石薄膜的方法，该方法包括如下步骤：第一步，根据已有的真空室及沉积工艺进行设备配置；第二步，在室温下，把基底（14）固定在旋转夹具（11）上，并根据End‑Hall型离子源（2）的型号调节旋转夹具（11）与End‑Hall型离子源（2）之间的距离，使沉积在基底（14）上的薄膜均匀；第三步，真空室（1）中的气体通过真空室抽气孔（12）被抽出，调节真空室（1）的真空度达到1×10‑3Pa量级；第四步，选择CH4作为气体（3），在气体流量控制计（4）的控制下以60sccm的气体流量通入End‑Hall型离子源（2）；第五步，沉积开始前，真空室（1）的真空度通过真空室抽气孔（12）调节，真空度保持在2×10‑2Pa量级，控制End‑Hall型离子源（2）的阳极电流为2A、阳极电压为90V；第六步，沉积开始时，使用电子枪（7）发射电子束（5）蒸发银（6），同时使用电子枪（10）发射电子束（8）蒸发锗（9），在基底（14）上得到含锗和银类金刚石薄膜（13）。