一种新型平面型二极管器件

摘要

本发明公开了一种新型平面型二极管器件结构；本发明的二极管器件结构由沟道和漂移区构成；当二极管器件接反向偏压时，沟道相邻的掺杂区形成的夹断势垒和肖特基势垒共同阻断反向电流；当二极管器件接正向偏压时，沟道内的势垒和肖特基势垒被同时降低，允许电流通过，可调的沟道参数实现了相对低的开启电压；本发明适用于所有半导体材料的平面结构二极管器件。

主权项

一种新型平面型二极管器件结构，其特征在于：包括：沟道，由邻近的相应类型的掺杂区构成，同时形成所需的势垒高度，通过肖特基接触形成二极管一端；漂移区，由半导体材料构成，与沟道相连，并通过欧姆接触获得二极管另一端。