| 发明名称 | 器件及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及器件及制造方法。描述给出了一种器件，包含：半导体芯片、在半导体芯片上横向延伸的第一金属层，第一金属层具有第一厚度。介电层在第一金属层上横向延伸，并且第二金属层在介电层上横向延伸，第二金属层具有至少是第一厚度四倍的第二厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN102054812B | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN201010287599.3 | 申请日期 | 2010.09.17 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | T·迈耶;A·巴尔 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;李家麟 |
| 主权项 | 一种器件，包括：半导体芯片；第一金属层，在所述半导体芯片上横向延伸，第一金属层具有第一厚度；介电层，直接设置在第一金属层的多个部分上；以及第二金属层，在所述介电层上横向延伸，第二金属层具有第二厚度，所述第二厚度是仅在其上直接沉积介电层的第一金属层的那些部分处的第一厚度的至少四倍，其中第一厚度小于300nm。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 | ||