OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR FABRICATING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP

摘要

In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) einen Träger (2). Eine Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer aktiven Schicht (33) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung, die sich zwischen einer n-Schicht (31) und einer p-Schicht (35) befindet, ist auf einer Trägeroberseite (20) angebracht. Der Halbleiterchip (1) weist eine n-Kontaktstelle (51) und eine p-Kontaktstelle (55) zum elektrischen Kontaktieren auf. Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (1) zumindest zwei oder drei elektrische Leiterbahnen (4). In Draufsicht gesehen ist die Halbleiterschichtenfolge (3) in wenigstens zwei nebeneinander angeordnete Emitterbereiche (36) strukturiert. Die Emitterbereiche (36) sind über die Leiterbahnen (4) elektrisch in Serie geschaltet. Es befinden sich die Leiterbahnen (4) an einer dem Träger (2) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (3).