发明名称 |
场致发射电子源的驱动控制电路 |
摘要 |
本发明涉及一种场致发射电子源的驱动控制电路,包括场致发射电子源,还包括脉冲信号输入端、保护电阻、可调电阻以及开关管;所述脉冲信号输入端与所述保护电阻的一端连接,用于输入脉冲信号;所述保护电阻的另一端连接所述开关管的控制端,所述开关管的低压端接地,所述开关管的高压端与所述可调电阻的一端连接,所述可调电阻的另一端连接所述场致发射电子源的场发射阴极,所述场致发射电子源的栅控门极用于连接直流电源。本发明在IGBT的输入极(即栅极)接入保护电阻,当有过冲电流时,保护电阻两端电压增大,IGBT栅极与发射极之间的电压减小,从而抑制电流过冲。 |
申请公布号 |
CN103531421A |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
申请号 |
CN201310476396.2 |
申请日期 |
2013.10.12 |
申请人 |
深圳先进技术研究院 |
发明人 |
陈垚;郑海荣;胡信菊;曾成志;李彦明;张其阳;洪序达 |
分类号 |
H01J35/02(2006.01)I;H02H3/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01J35/02(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
吴平 |
主权项 |
一种场致发射电子源的驱动控制电路,包括场致发射电子源,其特征在于,还包括脉冲信号输入端、保护电阻、可调电阻以及开关管;所述脉冲信号输入端与所述保护电阻的一端连接,用于输入脉冲信号;所述保护电阻的另一端连接所述开关管的控制端,所述开关管的低压端接地,所述开关管的高压端与所述可调电阻的一端连接,所述可调电阻的另一端连接所述场致发射电子源的场发射阴极,所述场致发射电子源的栅控门极用于连接直流电源。 |
地址 |
518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 |