发明名称 |
晶圆缺陷分析系统 |
摘要 |
本发明提供一种晶圆缺陷分析系统,包括:晶圆缺陷扫描库,用于存储设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图,缺陷位置获取单元用于对所述位置信息进行排序,缺陷位置匹配单元用于对一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷的位置信息与另一个晶圆的缺陷扫描图的一个缺陷的位置信息进行匹配,并标记匹配组;缺陷组分析单元用获得缺陷组的位置信息;缺陷组关联性分析单元,用于对两个晶圆之间的缺陷组的位置信息进行关联性分析,缺陷标记单元用于将存在关联性的缺陷在缺陷扫描图中高亮显示。本发明能够对晶圆缺陷扫描图能够分析,将存在关联性的缺陷高亮标出,便于对晶圆特定位置相同缺陷的情况进行及时的排查,节约人力和时间。 |
申请公布号 |
CN103531498A |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
申请号 |
CN201310491945.3 |
申请日期 |
2013.10.18 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
郭贤权;许向辉;陈超 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种晶圆缺陷分析系统,其特征在于,包括:晶圆缺陷扫描库,用于存储设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图,所述晶圆至少包括两个批次的晶圆;缺陷位置获取单元,用于基于所述缺陷扫描图获得缺陷的位置信息,并且对所述位置信息进行排序,所述位置信息包括横坐标和纵坐标;缺陷位置匹配单元,用于对一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷的位置信息与另一个晶圆的缺陷扫描图的一个缺陷的位置信息进行匹配,并且基于匹配结果标记匹配组;所述匹配包括:将一个晶圆的一个缺陷的位置信息的横坐标与另一个晶圆的一个缺陷的位置信息相减,获得横坐标差值;以及将一个晶圆的纵坐标与另一个晶圆的纵坐标相减,获得纵坐标差值,若所述横坐标差值和纵坐标差值的绝对值均在坐标容忍值之内,则将所述一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷与所述另一个晶圆的缺陷扫描图的一个位置缺陷标记为一个缺陷组;缺陷组分析单元,用于基于所述缺陷位置匹配单元获得的缺陷组获得该缺陷组的位置信息,所述缺陷组的位置信息包括:缺陷组的横坐标和缺陷组的纵坐标,缺陷组的横坐标为所述缺陷组的两个缺陷的横坐标的平均值,所述缺陷组的纵坐标为所述缺陷组的两个缺陷的纵坐标的平均值;缺陷组关联性分析单元,用于对两个晶圆之间的缺陷组的位置信息进行关联性分析,所述关联性分析包括:获得两个晶圆之间的缺陷组的位置信息的横坐标的差值和纵坐标的差值,若所述差值的绝对值小于容许关联值,则认为两个晶圆之间的缺陷组存在关联性;缺陷标记单元,用于基于缺陷组关联性分析单元之间的关联性分析结果,将存在关联性的缺陷组涉及的缺陷组对应的每一个晶圆的缺陷在缺陷扫描图高亮标出。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 |