| 发明名称 | 通孔的刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本实施例公开了一种通孔的刻蚀方法，包括：提供基底，所述基底包括层间介质ILD层和位于ILD层上表面的包括通孔图案的掩膜层；在各向异性刻蚀腔体中，对所述基底进行各向异性刻蚀，所述各向异性刻蚀在所述通孔图案内纵向上去除掉预设厚度的ILD层材料，所述预设厚度小于所述ILD层的厚度；在各向异性刻蚀腔体中，调整刻蚀气体的组分和配比，对经过各向异性刻蚀的基底进行各向同性刻蚀，所述各向同性刻蚀在横向上去除掉预设尺寸的ILD层材料，以满足通孔形貌的要求。本发明实施例在异性刻蚀腔体内实现各向同性刻蚀，省去了在两个不同类型的腔体间传送的时间，减少了通孔刻蚀所需的时间，缩短了产品的生产周期。 | ||
| 申请公布号 | CN102543836B | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201010597890.0 | 申请日期 | 2010.12.21 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 肖中强;顾静;王萍;何万梅;华强;徐振宇 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
| 主权项 | 一种通孔的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括层间介质ILD层和位于ILD层上表面的包括通孔图案的掩膜层；在各向异性刻蚀腔体中，对所述基底进行各向异性刻蚀，所述各向异性刻蚀在所述通孔图案内纵向上去除掉预设厚度的ILD层材料，所述预设厚度小于所述ILD层的厚度；在各向异性刻蚀腔体中，调整刻蚀气体的组分和配比，对经过各向异性刻蚀的基底进行各向同性刻蚀，所述各向同性刻蚀在横向上去除掉预设尺寸的ILD层材料，以满足通孔形貌的要求，其中，所述各向同性刻蚀过程与各向异性刻蚀过程所加的偏置电压的大小和方向相同；在进行所述各向同性刻蚀过程的同时，也对所述掩膜层进行刻蚀，所述各向同性刻蚀完成时，所述掩膜层的厚度被刻蚀掉80%以上。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||