| 发明名称 | 可恢复性能的氮化镓元件 | ||
| 摘要 | 一种氮化镓半导体元件，包括氮化镓半导体器件、封装外壳，以及与氮化镓半导体器件表面相对的一个发光单元。当氮化镓半导体元件的性能由于电子被俘获中心捕获而对元件性能有所影响时，可以通过发光单元进行照明，使电子从俘获中心逃逸，从而恢复元件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103531545A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201210232688.7 | 申请日期 | 2012.07.06 |
| 申请人 | 无锡派腾微纳米科技有限公司 | 发明人 | 刘朋;王振中;李超 |
| 分类号 | H01L23/04(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种氮化镓元件，其特征在于，包括：氮化镓器件，所述氮化镓器件是包含氮化镓场效应晶体管、氮化镓二极管以及氮化镓集成电路在内的一个或者多个器件、封装外壳，所述封装外壳封装所述氮化镓器件、以及一个发光单元，所述发光单元位于封装外壳内或者外。 | ||
| 地址 | 214174 江苏省无锡市惠山区高力汽车博览城58-205 | ||