发明名称 显示装置
摘要 本发明之目的在于提供一种可抑制因配向膜之厚度不均等而引起显示品质降低的显示装置。该显示装置系包含一具有反射区域与透过区域之显示区域者,且包括:凸状区域,其具有形成于与基板上之反射区域对应之区域上的凸状绝缘膜;以及以覆盖凸状绝缘膜之方式所形成的配向膜。而且,未形成有凸状绝缘膜之凹状区域,系以在相邻像素间连续之方式所形成。
申请公布号 TWI255375 申请公布日期 2006.05.21
申请号 TW093107722 申请日期 2004.03.23
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 小间德夫;小川真司;前田和之;小田信彦;井上和弘;山田努
分类号 G02F1/1335 主分类号 G02F1/1335
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路80号6楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路80号6楼
主权项 1.一种显示装置,包含具有反射区域与透过区域之 显示区域者,且包括: 凸状区域,系具有形成于与基板上之上述反射区域 对应之区域上的凸状绝缘膜;以及 以覆盖上述凸状绝缘膜之方式所形成的配向膜;且 未形成有上述凸状绝缘膜之凹状区域,系以在相邻 像素间连续之方式所形成。 2.如申请专利范围第1项之显示装置,其中,上述凹 状区域之至少一方端部系配置于上述显示区域之 外侧。 3.如申请专利范围第2项之显示装置,其中,上述凹 状区域之双方端部系配置于上述显示区域之外侧 。 4.如申请专利范围第1项之显示装置,其中,上述凹 状区域系以在沿第1方向相邻之像素间连续的方式 所形成。 5.如申请专利范围第1项之显示装置,其中,上述凹 部区域系以在沿第1方向及与上述第1方向交叉之 第2方向相邻之像素间连续的方式所形成。 6.如申请专利范围第1项之显示装置,其中,上述基 板包含形成有具一对源极/汲极区域及闸电极之薄 膜电晶体之侧的基板、与未形成有上述薄膜电晶 体之侧的相对基板中之任何一种基板。 7.如申请专利范围第6项之显示装置,其中, 上述基板系未形成有上述薄膜电晶体之侧的相对 基板; 更具备有形成于上述基板与上述配向膜之间,且形 成于上述凸状区域及上述凹状区域上的彩色滤光 片。 8.如申请专利范围第6项之显示装置,其中, 上述基板系未形成有上述薄膜电晶体之侧的相对 基板; 更具备有形成于上述基板与上述凸状绝缘膜之间, 且于上述反射区域之对应区域的局部上具有开口 部的彩色滤光片。 9.如申请专利范围第6项之显示装置,其中, 上述基板系未形成有上述薄膜电晶体之侧的相对 基板; 上述凸状绝缘膜包含有一体形成于上述基板上之 绝缘性部分。 10.如申请专利范围第1项之显示装置,其中,上述凹 状区域系以在上述相邻像素间具有中间缩窄部、 且在上述相邻像素间连续的方式所形成。 11.如申请专利范围第10项之显示装置,其中,上述凹 状区域之上述中间缩窄部系设在上述相邻像素间 之边界区域。 12.如申请专利范围第1项之显示装置,其中,上述凹 状区域系以延伸于第1方向之方式所形成,同时沿 着上述第1方向分割成复数个。 13.一种显示装置,系包含具有反射区域与透过区域 之显示区域,且由复数个像素所构成者,且包括: 凸状区域,系于与基板上之上述反射区域对应之区 域上形成有凸状绝缘膜; 未形成有上述凸状绝缘膜之凹状区域;以及 配向膜,共通形成于上述凸状区域及上述凹状区域 上; 且上述凹状区域,系以在相邻像素间连续之方式所 形成。 14.如申请专利范围第13项之显示装置,其中,上述凹 状区域之至少一方端部系配置于上述显示区域之 外侧。 15.如申请专利范围第14项之显示装置,其中,上述凹 状区域之双方端部系配置于上述显示区域之外侧 。 16.如申请专利范围第13项之显示装置,其中,上述凹 状区域系以在沿第1方向相邻之像素间连续的方式 所形成。 17.如申请专利范围第13项之显示装置,其中,上述凹 部区域系以在沿第1方向及与上述第1方向交叉之 第2方向相邻之像素间连续的方式所形成。 18.如申请专利范围第13项之显示装置,其中,上述基 板包含形成有具一对源极/汲极区域及闸电极之薄 膜电晶体之侧的基板、与未形成有上述薄膜电晶 体之侧的相对基板中之任何一种基板。 19.如申请专利范围第18项之显示装置,其中, 上述基板系未形成有上述薄膜电晶体之侧的相对 基板; 更具备有形成于上述基板与上述配向膜之间,且形 成于上述凸状区域及上述凹状区域上的彩色滤光 片。 20.如申请专利范围第18项之显示装置,其中, 上述基板系未形成有上述薄膜电晶体之侧的相对 基板; 更具备有形成于上述基板与上述凸状绝缘膜之间, 且于上述反射区域之对应区域的局部上具有开口 部的彩色滤光片。 21.如申请专利范围第18项之显示装置,其中, 上述基板系未形成有上述薄膜电晶体之侧的相对 基板; 上述凸状绝缘膜包含有一体形成于上述基板上之 绝缘性部分。 22.如申请专利范围第13项之显示装置,其中,上述凹 状区域系以在上述相邻像素间具有中间缩窄部、 且在上述相邻像素间连续的方式所形成。 23.如申请专利范围第22项之显示装置,其中,上述凹 状区域之上述中间缩窄部系设在上述相邻像素间 之边界区域。 24.如申请专利范围第13项之显示装置,其中,上述凹 状区域系以延伸于第1方向之方式所形成,同时沿 着上述第1方向分割成复数个。 图式简单说明: 第1图系显示本发明第1实施形态之半透过型液晶 显示装置之构造的平面图。 第2图系沿着第1图所示第1实施形态之显示装置之 100-100线的剖面图。 第3图系显示第1图所示第1实施形态之显示装置之 凸状绝缘膜平面形状的模式图。 第4图至第7图系说明本发明第1实施形态之显示装 置之制程用剖面图。 第8图系显示第1实施形态变化例之显示装置构造 的平面图。 第9图系沿着第8图所示第1实施形态变化例之显示 装置之150-150线的剖面图。 第10图系显示本发明第2实施形态之半透过型液晶 显示装置之构造的剖面图。 第11图系显示第2实施形态之第1变化例之显示装置 构造的剖面图。 第12图系显示第2实施形态之第2变化例之显示装置 构造的剖面图。 第13图系显示本发明第3实施形态之半透过型液晶 显示装置之构造的平面图。 第14图系显示本发明第4实施形态之半透过型液晶 显示装置之构造的平面图。 第15图系沿着第14图所示第4实施形态之显示装置 之200-200线的剖面图。 第16图至第18图系说明本发明第4实施形态之显示 装置之制程用的剖面图。 第19图系显示本发明第5实施形态之反射型液晶显 示装置构造的平面图。 第20图系沿着第19图所示第5实施形态之显示装置 之250-250线的剖面图。 第21图至第24图系显示本发明变化例之显示装置之 凸状绝缘膜之平面形状的模式图。 第25图系显示具有习知凸状绝缘膜之半透过型液 晶显示装置之构造的平面图。 第26图系沿着第25图所示习知显示装置之300-300线 的剖面图。 第27图系显示第25图所示习知显示装置之凸状绝缘 膜之平面形状的模式图。 第28图系沿着第27图之350-350线的剖面图。
地址 日本