发明名称 |
一种D-A型聚合物半导体材料及其制备方法与应用 |
摘要 |
本发明公开了一种D-A型聚合物半导体材料及其制备方法与应用。该D-A型聚合物,其结构式如式Ⅰ所示,式Ⅰ中,R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>和Ar均选自烷基、芳香基和由所述烷基取代的所述芳香基中任一种,所述烷基为碳原子数为1~16的直链或支链烷基,所述芳香基为苯基、芴基、噻吩基、含氟苯基、含氮杂环基或含硅杂环基;基团A表示受体,其选自含氟苯基、苯并噻二唑基及其衍生物、吡咯基、吡咯并吡咯基及其衍生物;X和Y均选自S、O、N和Se中的任意一种;m为1~4之间的自然数;n为5~100之间的自然数。本发明提供的式Ⅰ所示聚合物可作为有机半导体光电材料,具体可用于制备有机半导体光电器件,如有机场效应晶体管,其作为有机半导体光电器件中的有机半导体材料层。 |
申请公布号 |
CN103483558A |
申请公布日期 |
2014.01.01 |
申请号 |
CN201310361926.9 |
申请日期 |
2013.08.19 |
申请人 |
南京友斯贝特光电材料有限公司 |
发明人 |
孟鸿;张小涛;苑晓;闫丽佳 |
分类号 |
C08G61/12(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I |
主分类号 |
C08G61/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
关畅;王春霞 |
主权项 |
1.一种D-A型聚合物,其结构式如式Ⅰ所示:<img file="FDA0000368502290000011.GIF" wi="453" he="419" />式Ⅰ中,R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>和Ar均选自烷基、芳香基和由所述烷基取代的所述芳香基中任一种,所述烷基为碳原子数为1~16的直链或支链烷基,所述芳香基为苯基、芴基、噻吩基、含氟苯基、含氮杂环基或含硅杂环基;基团A表示受体,其选自含氟苯基、苯并噻二唑基及其衍生物、吡咯基、吡咯并吡咯基及其衍生物;X和Y均选自S、O、N和Se中的任意一种;m为1~4之间的自然数;n为5~100之间的自然数。 |
地址 |
210000 江苏省南京市秦淮区双龙街2号 |