发明名称 晶片电阻的制造方法
摘要 本发明系一种晶片电阻的制造方法,主要系于基板上形成有复数横向的分离线及复数穿槽,并定义各二相对穿槽及二分离线之间系一元件区,各元件区内分别印刷有主电极及电阻层,将印刷有主电极与电阻层的基板整片进行电镀程序,完成主电极及穿槽内壁之内、外层电极,最后再延分离线将各元件区分离为一粒粒的晶片电阻,如此一来,可有效令晶片电阻的生产过程具有更高的良率以及更佳的效率。
申请公布号 TW200733149 申请公布日期 2007.09.01
申请号 TW095105899 申请日期 2006.02.22
申请人 华新科技股份有限公司 发明人 陆秀强;郭俊雄
分类号 H01C7/00(2006.01) 主分类号 H01C7/00(2006.01)
代理机构 代理人 桂齐恒;阎启泰
主权项
地址 台北市内湖区瑞光路480号10楼