| 发明名称 | MOS管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS管及其形成方法，其中MOS管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面覆盖有电压控制层，所述电压控制层表面覆盖有第一外延本征层，所述第一外延本征层表面覆盖有绝缘层，所述绝缘层内具有贯穿其厚度的第一栅极结构；以所述第一栅极结构为掩膜，向所述第一外延本征层内掺杂形成源/漏区；去除所述第一栅极结构，形成暴露出所述第一外延本征层表面的开口；形成覆盖所述开口底部的第二外延本征层；在所述开口内形成覆盖所述第二外延本征层的第二栅极结构。形成的MOS管的阈值电压低，性能稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN103456632A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201210174590.0 | 申请日期 | 2012.05.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOS管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面覆盖有电压控制层，所述电压控制层表面覆盖有第一外延本征层，所述第一外延本征层表面覆盖有绝缘层，所述绝缘层内具有贯穿其厚度的第一栅极结构，其中，所述第一外延本征层和电压控制层内掺杂的离子具有浓度梯度，且所述第一外延本征层的离子浓度小于所述电压控制层的离子浓度；以所述第一栅极结构为掩膜，向所述第一外延本征层内掺杂形成源/漏区；去除所述第一栅极结构，形成暴露出所述第一外延本征层表面的开口；形成覆盖所述开口底部的第二外延本征层；在所述开口内形成覆盖所述第二外延本征层的第二栅极结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||