发明名称 |
用于形成结绝缘区域的自对准注入工艺 |
摘要 |
一种器件包括半导体衬底,位于半导体衬底中的阱区和金属氧化物半导体(MOS)器件。MOS器件包括与阱区重叠的栅极电介质、位于栅极电介质上方的栅电极和位于所述阱区中的源极/漏极区域。源极/漏极区域和阱区具有相反的导电类型。远离栅电极的第一源极漏极区域的边缘接触阱区以形成结绝缘。本发明还提供了一种用于形成结绝缘区域的自对准注入工艺。 |
申请公布号 |
CN103456789A |
申请公布日期 |
2013.12.18 |
申请号 |
CN201210514958.3 |
申请日期 |
2012.12.04 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
曾建贤;伍寿国;陈嘉展;吴国裕;杨道宏;钟敏豪 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种器件,包括:半导体衬底;阱区,位于所述半导体衬底中;以及金属氧化物半导体(MOS)器件,包括:栅极电介质,与所述阱区重叠;栅电极,位于所述栅极电介质上方;和第一源极/漏极区域,位于所述阱区中,所述第一源极/漏极区域和所述阱区具有相反的导电类型,并且所述第一源极/漏极区域的远离所述栅电极的边缘接触所述阱区以形成结绝缘。 |
地址 |
中国台湾新竹 |