隔离型LDMOS的制造方法

摘要

本发明公开了一种隔离型LDMOS的制造方法，包括步骤：在版图设计过程中，对隔离型LDMOS的漏区的离子注入版图进行变动，使漏区的离子注入区和栅极下方的浅沟槽隔离间相隔一横向距离一；在生产过程中，采用步骤一中所设计的漏区的离子注入版图进行漏区的离子注入。本发明能使漏区和栅极下方的浅沟槽隔离间没有高浓度的漏区的离子注入杂质，能够消除漏区附件的强电场，从而能提高器件的安全工作区域，且仅需变动漏区的离子注入版图，工艺简单、容易实现。

主权项

一种隔离型LDMOS的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在版图设计过程中，对所述隔离型LDMOS的漏区的离子注入版图进行变动，使所述漏区的离子注入区和栅极下方的浅沟槽隔离间相隔一横向距离一；步骤二、在生产过程中，采用步骤一中所设计的所述漏区的离子注入版图进行所述漏区的离子注入；步骤二包括如下步骤：步骤二A、在一P型硅衬底上进行N型离子注入形成深N阱；步骤二B、采用高压P阱的离子注入工艺在所述深N阱中形成高压P阱；步骤二C、在所述P型硅衬底上形成浅沟槽，在所述浅沟槽中填入氧化硅形成浅沟槽隔离；在要形成栅极区域的下方的所述浅沟槽隔离位于所述深N阱中、且和所述高压P阱相隔一定距离；步骤二D、在所述P型硅衬底上形成栅极，所述栅极为多晶硅栅极，所述栅极和所述P型硅衬底表面相隔有栅氧化层，所述栅极横向覆盖了部分所述高压P阱、部分所述栅极下方的所述浅沟槽隔离、以及所述栅极覆盖的所述高压P阱和所述浅沟槽隔离间的深N阱；所述栅极所覆盖的所述高压P阱形成沟道区；步骤二E、通过源漏离子注入形成源区和漏区；所述漏区的位置通过步骤一中所设计的所述漏区的离子注入版图进行定义；使所述漏区位于所述深N阱中、且所述漏区和所述栅极覆盖的所述浅沟槽隔离间相隔横向距 离一；所述源区位于所述高压P阱中并和所述栅极相邻。