| 发明名称 | ZnO类基板及ZnO类基板的处理方法、以及ZnO类半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供适于晶体生长的具有品质良好的表面的ZnO类基板及ZnO类基板的处理方法、以及ZnO类半导体元件。为此，本发明的ZnO类基板具有下述构成：在该基板的进行晶体生长一侧的主面表面上基本上不存在羧基或碳酰二氧基。另外，为使其主面表面上存在的羧基或碳酰二氧基基本上为零，在晶体生长开始之前使ZnO类基板表面与氧自由基、氧等离子体、臭氧中的任意物质接触。由此，可提高ZnO类基板表面的清洁化，进而在基板上制作品质良好的ZnO类薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101932756A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200980103866.2 | 申请日期 | 2009.01.30 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 中原健;赤坂俊辅;川崎雅司;大友明;塚崎敦 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 封新琴 |
| 主权项 | 一种ZnO类基板，该ZnO类基板的进行晶体生长一侧的主面表面上基本上不存在羧基或碳酰二氧基。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||