具有自对准栅的化合物半导体晶体管

摘要

本发明涉及具有自对准栅的化合物半导体晶体管。晶体管器件包括化合物半导体主体，其具有第一表面和在化合物半导体主体中被部署在第一表面之下的二维电荷载流子气。晶体管器件进一步包括与二维电荷载流子气接触的源以及与源间隔开并且与二维电荷载流子气接触的漏。第一钝化层与化合物半导体主体的第一表面接触，而第二钝化层被部署在第一钝化层上。第二钝化层具有与第一钝化层不同的刻蚀速率选择性。栅延伸穿过第二钝化层到第一钝化层中。

主权项

一种晶体管器件，其包括：化合物半导体主体，具有第一表面和在化合物半导体主体中被部署在第一表面之下的二维电荷载流子气；与二维电荷载流子气接触的源；与源间隔开并且与二维电荷载流子气接触的漏；与化合物半导体主体的第一表面接触的第一钝化层；被部署在第一钝化层上的第二钝化层，所述第二钝化层具有与第一钝化层不同的刻蚀速率选择性；以及延伸穿过第二钝化层到第一钝化层中的栅。