| 发明名称 | 半导体器件和半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。提供了能够减小源极电极间电阻RSS（导通）并且减小芯片大小的半导体器件。根据本发明的半导体器件包括：芯片，其被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及，公共漏极电极，其被设置在芯片的背表面上，其中，在第一和第三区域之间形成第二区域，在第一区域和第三区域中形成第一MOSFET，并且在第二区域中形成第二MOSFET。 | ||
| 申请公布号 | CN103456690A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201310205688.2 | 申请日期 | 2013.05.29 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 铃木和贵;是成贵弘 |
| 分类号 | H01L21/8232(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8232(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：芯片，所述芯片被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及公共漏极电极，所述公共漏极电极被设置在所述芯片的背表面上，其中，所述第二区域形成在所述第一区域和所述第三区域之间，第一MOSFET形成在所述第一区域和所述第三区域中，并且第二MOSFET形成在所述第二区域中。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||