发明名称 一种二氧化硅的提纯方法
摘要 本发明公开一种二氧化硅的提纯方法,包括步骤:1)将经过一定量有机物或高聚物和硫处理二氧化硅置石英管中,于600~1100℃下,连续通入用氮气运载的氯气2~4小时后,尾气用石灰水吸收,经冷却至100~200℃;2)将冷却后的二氧化硅倒入5~10%的盐酸中经充分搅拌,然后用去离子水清洗至中性后烘干,即得到提纯后的二氧化硅。本发明方法工艺简单、条件温和,适用于工业化生产;采用本发明方法提纯后的二氧化硅,能满足半导体和光伏产业用特种石英玻璃制品生产的实际需要。
申请公布号 CN103435049A 申请公布日期 2013.12.11
申请号 CN201310363969.0 申请日期 2013.08.19
申请人 武汉大学 发明人 袁良杰;艾常春;袁荃;邹波
分类号 C01B33/113(2006.01)I 主分类号 C01B33/113(2006.01)I
代理机构 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人 汪俊锋
主权项 一种二氧化硅的提纯方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将有机物和硫掺入二氧化硅中混匀,所用有机物与硫的质量比为2:1,且掺入的有机物和硫的质量为二氧化硅的0.01~0.05%;2)将掺杂后的二氧化硅置于600~1200℃下,连续通入惰性载气稀释的氯气2~4小时,通过氯气量为二氧化硅质量的50~100ppm,尾气用石灰水吸收;3)将二氧化硅冷却至100~200℃后,倒入5~10wt%的盐酸中充分搅拌,然后用去离子水清洗至中性后烘干,即得到提纯的二氧化硅。
地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学