发明名称 |
一种二氧化硅的提纯方法 |
摘要 |
本发明公开一种二氧化硅的提纯方法,包括步骤:1)将经过一定量有机物或高聚物和硫处理二氧化硅置石英管中,于600~1100℃下,连续通入用氮气运载的氯气2~4小时后,尾气用石灰水吸收,经冷却至100~200℃;2)将冷却后的二氧化硅倒入5~10%的盐酸中经充分搅拌,然后用去离子水清洗至中性后烘干,即得到提纯后的二氧化硅。本发明方法工艺简单、条件温和,适用于工业化生产;采用本发明方法提纯后的二氧化硅,能满足半导体和光伏产业用特种石英玻璃制品生产的实际需要。 |
申请公布号 |
CN103435049A |
申请公布日期 |
2013.12.11 |
申请号 |
CN201310363969.0 |
申请日期 |
2013.08.19 |
申请人 |
武汉大学 |
发明人 |
袁良杰;艾常春;袁荃;邹波 |
分类号 |
C01B33/113(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/113(2006.01)I |
代理机构 |
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 |
代理人 |
汪俊锋 |
主权项 |
一种二氧化硅的提纯方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将有机物和硫掺入二氧化硅中混匀,所用有机物与硫的质量比为2:1,且掺入的有机物和硫的质量为二氧化硅的0.01~0.05%;2)将掺杂后的二氧化硅置于600~1200℃下,连续通入惰性载气稀释的氯气2~4小时,通过氯气量为二氧化硅质量的50~100ppm,尾气用石灰水吸收;3)将二氧化硅冷却至100~200℃后,倒入5~10wt%的盐酸中充分搅拌,然后用去离子水清洗至中性后烘干,即得到提纯的二氧化硅。 |
地址 |
430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 |