用工艺气体处理基底的方法

摘要

本发明提供一种用工艺气体处理基底的方法，属于表面处理技术领域，其可解决现有的用工艺气体处理基底的方法不能兼具良好的均匀性和高产能的问题。本发明的用工艺气体处理基底的方法包括：将设有至少两个待处理的基底的处理设备的腔室加热到第一温度，各所述基底表面相对且相间隔的排成至少一列；将所述腔室以第一冷却速度冷却到第二温度，该第一冷却速度足够大以使所述基底中部的温度高于其周边部的温度；在所述基底中部的温度高于其周边部的温度的情况下，向所述腔室通入工艺气体以处理所述基底。本发明可用于半导体工艺领域中。

主权项

一种用工艺气体处理基底的方法，其特征在于，包括：将设有至少两个待处理的基底的处理设备的腔室加热到第一温度；各所述基底表面相对且相间隔的排成至少一列；将所述腔室以第一冷却速度冷却到第二温度，该第一冷却速度足够大以使所述基底中部的温度高于其周边部的温度；在所述基底中部的温度高于其周边部的温度的情况下，向所述腔室通入工艺气体以处理所述基底。