| 发明名称 | 氧化铟系烧结体及溅射靶 | ||
| 摘要 | 一种氧化物烧结体，其在氧化铟结晶中固溶有选自铝及钪中的一种以上的金属的氧化物，且铟和选自铝及钪中的一种以上的金属的原子比((一种以上的金属的合计)/(一种以上的金属和In的合计)×100)为0.001％以上且不足45％。 | ||
| 申请公布号 | CN102245533B | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN200980150518.0 | 申请日期 | 2009.06.01 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 井上一吉;宇都野太;川岛浩和;矢野公规;笘井重和;笠见雅司;寺井恒太 |
| 分类号 | C04B35/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种烧结体，在氧化铟结晶中固溶有氧化铝，且铟与铝的原子比，即(Al)/(Al和In的合计)×100为2.7％以上且不足45％，当还含有正4价以上的金属离子时，含有10～5000原子ppm的所述正4价以上的金属离子。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||