| 摘要 |
<p>Halbleitermodul (1) mit einer Basisplatte (2), einer Mehrzahl von Substraten (3), die auf einer Fläche der Basisplatte (2) montiert und jeweils mit einem Schaltelement (4), einem Diodenelemente (5) und einem Verbindungsanschlussbereich (6) versehen sind, und Kühlmittelflusspfaden (7), die bereitgestellt sind, um mit der anderen Fläche der Basisplatte (2) in Kontakt zu sein, wobei ein Parallelflussbildungsmittel (8) vorgesehen ist, das parallele Kühlmittelflüsse in einer vorgeschriebenen Richtung in den Kühlmittelflusspfaden (7) bildet, auf jedem der Substrate (3) das Schaltelement (4) und das Diodenelement (5) in Serie in der Kühlmittelflussrichtung angeordnet sind, das Schaltelement (4) und der Verbindungsanschlussbereich (6) an Positionen angeordnet sind, die in der senkrechten Richtung bezüglich der Kühlmittelflussrichtung unterschiedlich sind; und ein Paar von Substraten (3A, 3B) in Kühlmittelflussrichtung angeordnet ist, und auf einem Substrat (3A) des Paars (3A, 3B), das Schaltelement auf einer Seite in senkrechter Richtung angeordnet ist, und auf dem anderen Substrat (3B) des Paars (3A, 3B) die Verbindungsanschlussbereiche (6) auf der einen Seite in der senkrechten Richtung angeordnet sind.</p> |
