| 发明名称 | 芯片封装及形成芯片封装的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及芯片封装及形成芯片封装的方法。实施例提供了一种形成芯片封装的方法。方法可以包括：在载体上附着至少一个芯片，该芯片包括与载体相对的芯片表面上的多个芯片焊盘；在载体和芯片的芯片焊盘上沉积第一粘合层，第一粘合层包括锡或铟；在第一粘合层上沉积第二粘合层，第二粘合层包括硅烷有机材料；以及在第二粘合层和芯片上沉积层压层或密封层。 | ||
| 申请公布号 | CN103377957A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201310145102.8 | 申请日期 | 2013.04.24 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 吴顺禄;李瑞家;M.门格尔;S.施密德;H.托尔维斯滕 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;刘春元 |
| 主权项 | 一种形成芯片封装的方法，该方法包括：在载体上附着至少一个芯片，该芯片包括与载体相对的芯片表面上的多个芯片焊盘；在载体和芯片的芯片焊盘上沉积第一粘合层，该第一粘合层包括锡或铟；在第一粘合层上沉积第二粘合层，该第二粘合层包括硅烷有机材料；以及在第二粘合层和芯片上沉积层压层或密封层。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||