放射线检测装置及其制造方法和放射线成像系统

摘要

本公开内容涉及放射线检测装置及其制造方法和放射线成像系统。一种包括光电转换元件的放射线检测装置的制造方法包括通过去除在半导体层之上形成的电极层的一部分来形成第二电极，该部分位于半导体层的端部上，所述光电转换元件包含位于基板之上的第一电极、位于第一电极上的半导体层和位于半导体层上的第二电极。所述方法包括形成绝缘层，使得绝缘层覆盖半导体层的未被第二电极覆盖的部分。所述方法还包括在绝缘层的至少一部分上形成第三电极，使得绝缘层被夹在第三电极与半导体层的所述端部之间。

主权项

一种包括光电转换元件的放射线检测装置的制造方法，所述光电转换元件包含位于基板之上的第一电极、位于第一电极上的半导体层和位于半导体层上的第二电极，所述制造方法包括：通过去除在半导体层之上形成的电极层的一部分来形成第二电极，该部分位于半导体层的端部上；形成绝缘层，使得绝缘层覆盖半导体层的未被第二电极覆盖的部分；和在绝缘层的至少一部分上形成第三电极，使得绝缘层被夹在第三电极与半导体层的所述端部之间。