| 摘要 |
本发明系提供一种半导体记忆装置，其系具有各记忆体层之资料写入、抹除、读出特性平均化之叠层构造。本发明之半导体记忆装置包含：复数个记忆体层，其系分别包含有胞阵列且呈多层地配置，而该胞阵列包含：互相平行之复数个第1布线、配置成与该等第1布线交叉且互相平行之复数个第2布线、以及连接于该等第1布线与第2布线之交叉部分之复数个记忆体胞；脉冲产生器，其系产生并输出对于前述记忆体胞之资料存取所必要之脉冲；及控制机构，其系控制前述脉冲产生器，以使从前述脉冲产生器所输出之脉冲，成为因应将要存取之记忆体胞所属之记忆体层之能量。 |
