发明名称 一种非破坏性功率MOS管单粒子烧毁效应检测电路及方法
摘要 本发明公开了一种非破坏性功率MOS管单粒子烧毁效应检测电路及方法,电路包括栅极偏置电路、漏极偏置电路和信号采集电路,方法包括对功率MOS管施加一定的偏置,在重离子辐照的情况下检测MOS管的源极电流,通过电流变化曲线来判断MOS管单粒子烧毁(SEB,single-event burnout)现象是否发生。本检测方法根据MOS管器件性能参数,设置器件的源极和漏极限流电阻和充放电电容,来保证SEB现象发生时的源极电流在可被检测的范围内,同时又确保器件未被烧毁而造成MOS管的破坏性失效。本发明方法简单,可以检测一只MOS管SEB效应的多次发生,同时又具有非破坏性的特点。
申请公布号 CN103344897A 申请公布日期 2013.10.09
申请号 CN201310231286.X 申请日期 2013.06.09
申请人 中国空间技术研究院 发明人 王文炎;李鹏伟;罗磊;于庆奎;张磊;唐民
分类号 G01R31/26(2006.01)I 主分类号 G01R31/26(2006.01)I
代理机构 中国航天科技专利中心 11009 代理人 安丽
主权项 一种非破坏性功率MOS管单粒子烧毁效应检测电路,其特征在于包括:栅极偏置电路、漏极偏置电路和信号采集电路;栅极偏置电路包括栅极电源、栅极电源监测电路、电阻R5和电容C2,漏极偏置电路包括漏极电源、漏极电源监测电路、电阻R1、R2、R4和电容C1,信号采集电路包括电流采集显示电路和电阻R3;栅极电源的正极通过电阻R5连接到被测MOS管的栅极,同时,被测MOS管的栅极还通过电容C2与栅极电源的负极以及被测MOS管的源级连接在一起,被测MOS管的漏极连接到漏极偏置电路中电阻R4的一端,电阻R4的另一端通过电阻R1连接到漏极电源的正极,同时,所述电阻R4的另一端还通过电容C1连接到信号采集电路中的电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接到栅极电源的源级,电流采集显示电路并联到电阻R3的两端,用于测量并显示流经电阻R3的电流,漏极电源的负极通过电阻R2连接到信号采集电路中的电阻R3的一端;漏极电源的监测电路并联在漏极电源的两端,用于监测漏极电源输出电压的稳定性,栅极电源的监测电路并联在栅极电源的两端,用于监测栅极电源输出电压的稳定性。
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