一种LED驱动用自反馈线性恒流器

摘要

一种LED驱动用自反馈线性恒流器，属于半导体功率技术领域。包括结型场效应晶体管JFET和电阻R，所述电阻R一端与JFET源极相连，另一端与JFET的栅极相连。流经电阻R的沟道电流Ireg在电阻R上产生的压降VR加在JFET的栅极，一方面起到了对JFET自偏置作用，另一方面与JFET构成了负反馈，使得输出电流Ireg更加稳定。本发明在宽电压范围下可保持LED亮度恒定，且在高输入电压时保护LED，使其免于过驱动，实现对LED的保护。本发明具有比开关稳压器成本低，比电阻型驱动器输出更加稳定的优点。本发明可应用于包括LED驱动的恒流驱动场合。

主权项

一种LED驱动用自反馈线性恒流器，包括集成于同一芯片上的一个结型场效应晶体管（JFET）和一个电阻（R）；所述电阻（R）的一端与结型场效应晶体管（JFET）的源端（S）相连，所述电阻（R）的另一端与结型场效应晶体管（JFET）的栅端（G）相连；所述结型场效应晶体管JFET是N沟道JFET器件，包括P+衬底（2）、P+衬底（2）背面的金属化阴极（1）、P+衬底（2）正面的N‑外延层（3）；N‑外延层（3）中具有高掺杂P+环（4）和N‑阱区（5）；N‑阱区（5）中具有若干并排的N‑接触区（8）和位于每个N‑接触区（8）中间部位的N+接触区（6），每相邻两个N‑接触区（8）之间具有一个P+栅区（7）；任意相邻两个N+接触区（6）中，一个N+接触区（6）与源极金属层（10）相连，另一个N+接触区（6）与漏极金属层（11）相连，源极金属层（10）和漏极金属层（11）形成叉指电极结构；整个N‑外延层（3）表面除源极金属层（10）和漏极金属层（11）覆盖的区域外所有区域覆盖有氧化层（9）；所有P+栅区（7）延伸出N‑阱区（5）并与高掺杂P+环（4）相连。