| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：含有Si、O、C和H的层间绝缘膜；设置在所述层间绝缘膜上的且含有Ni的凸块下金属膜；以及设置在所述凸块下金属膜之上的凸块电极。在所述层间绝缘膜中，波数1270cm-1附近的Si-CH3的峰高与波数1030cm-1附近的Si-O的峰高的比值为大于等于0.15且小于等于0.27。波数1360cm-1附近的Si-CH2-Si的峰高与波数1270cm-1附近的Si-CH3的峰高的比值大于等于0.031，所述比值通过傅里叶变换红外光谱FTIR获得。 | ||
| 申请公布号 | CN103325819A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN201310053001.8 | 申请日期 | 2013.02.19 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 宇佐美达矢;中村朝至;藤本直树 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 温旭;郝传鑫 |
| 主权项 | 一种半导体器件，所述半导体器件包括：含有Si、O、C和H的层间绝缘膜；设置在所述层间绝缘膜上方的含有Ni的凸块下金属膜；以及设置在所述凸块下金属膜上方的凸块电极，其中，在所述层间绝缘膜中，波数1270cm‑1附近的Si‑CH3的峰高与波数1030cm‑1附近的Si‑O的峰高的比值为大于等于0.15且小于等于0.27，并且，波数1360cm‑1附近的Si‑CH2‑Si的峰高与波数1270cm‑1附近的Si‑CH3的峰高的比值大于等于0.031，所述比值通过傅里叶变换红外光谱FTIR获得。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||