发明名称 具MIM电容之IC封环构造
摘要 一种具MIM电容之IC封环构造包含一护环预定配置空间、至少一电容值调整层及至少一MIM电容。该护环预定配置空间具有一金属延伸层,且该电容值调整层对应于该金属延伸层。该MIM电容设置于该金属延伸层及电容值调整层之间,该MIM电容具有一第一端连接于该金属延伸层,该MIM电容具有一第二端连接于该电容值调整层。该MIM电容用以进一步提升静电防护功能。
申请公布号 TWI409929 申请公布日期 2013.09.21
申请号 TW098120902 申请日期 2009.06.22
申请人 矽创电子股份有限公司 发明人 黄致远
分类号 H01L23/60 主分类号 H01L23/60
代理机构 代理人 颜豪呈 高雄市苓雅区意诚路7号9楼之1
主权项
地址 台北市内湖区内湖路1段308号6楼之2 TW 6F-2, NO. 308, SEC. 1, NEIHU RD., TAIPEI 114, TAIWAN