发明名称 | 具MIM电容之IC封环构造 | ||
摘要 | 一种具MIM电容之IC封环构造包含一护环预定配置空间、至少一电容值调整层及至少一MIM电容。该护环预定配置空间具有一金属延伸层,且该电容值调整层对应于该金属延伸层。该MIM电容设置于该金属延伸层及电容值调整层之间,该MIM电容具有一第一端连接于该金属延伸层,该MIM电容具有一第二端连接于该电容值调整层。该MIM电容用以进一步提升静电防护功能。 | ||
申请公布号 | TWI409929 | 申请公布日期 | 2013.09.21 |
申请号 | TW098120902 | 申请日期 | 2009.06.22 |
申请人 | 矽创电子股份有限公司 | 发明人 | 黄致远 |
分类号 | H01L23/60 | 主分类号 | H01L23/60 |
代理机构 | 代理人 | 颜豪呈 高雄市苓雅区意诚路7号9楼之1 | |
主权项 | |||
地址 | 台北市内湖区内湖路1段308号6楼之2 TW 6F-2, NO. 308, SEC. 1, NEIHU RD., TAIPEI 114, TAIWAN |